| 型号： | PBSS5630PA,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | TRANSISTOR PNP 30V 6A SOT1061 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| PBSS5630PA,115 PDF |  |
| 特色产品 | NXP - I2C Interface |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 6A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 350mV @ 300mA，6A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 190 @ 2A，2V |
| 功率 - 最大 | 2.1W |
| 频率 - 转换 | 80MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-UDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 3-HUSON |
| 包装 | 带卷 (TR) |